半導体メーカーのロームは、電気自動車（ＥＶ）やハイブリッドカー（ＨＥＶ）用のインバータに搭載されているＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴの駆動に最適な絶縁素子内蔵ゲートドライバ「ＢＭ６１０３ＦＶ－Ｃ」を開発した。同製品はローム独自のＢｉＣＤＭＯＳ技術と新規開発のオンチップトランスフォーマプロセス技術の融合により、絶縁素子を内蔵したゲートドライバとしては業界最小の小型パッケージとなり、インバータ回路の小型化に貢献する。また、従来のフォトカプラ方式に比べて消費電力を大幅に削減でき、ＥＶやＨＥＶに必要なすべての保護機能や品質要求を備えているためインバータ・システムの設計負荷も軽減する。さらに次世代パワー半導体として期待されるＳｉＣ（シリコンカーバイド：炭化ケイ素）を使用したパワーＭＯＳＦＥＴの高速スイッチングにも対応しており、より高効率で低消費な次世代電気自動車の実現にも大きく貢献する。
ローム、ＥＶなどに搭載のインバータ回路向け絶縁素子内蔵小型ゲートドライバを開発（プレスリリース）
電気自動車に必須 – ローム、インバータの小型化へ新ドライバ開発（スポットライト）
