エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的半導体メーカーのＳＴマイクロエレクトロニクスは、高品質かつ高効率の新しいパワーＭＯＳＦＥＴファミリを発表しました。同製品ファミリは、エコ設計規格に定められたより厳しい消費電力・電力効率の基準に対応し、太陽光発電用のマイクロインバータやストリング・インバータ、電気自動車といった環境エネルギー・アプリケーションに適している。この新製品ファミリには、最大電圧定格が９５０Ｖである業界初のスーパー・ジャンクション型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、クラス最高の電力効率を実現する９００Ｖ耐圧製品、および省スペースの超薄型パッケージ（ＰｏｗｅｒＦＬＡＴ ８ｘ８ ＨＶ）で提供される唯一の８５０Ｖ耐圧製品が含まれている。スーパー・ジャンクション技術により、製品サイズに起因する極めて小さな電気的オン抵抗でＭＯＳＦＥＴの動作電圧を高め、電源全体を小型化しながらシステムの信頼性と電力効率を向上させることができる。
ＳＴマイクロ、エコ設計規格や環境エネルギーに対応する先進的なパワーＭＯＳＦＥＴを発表（プレスリリース）
急成長中のエコ設計規格や環境エネルギーに対応する先進的なパワーMOSFETを発表（msn産経ニュース）
