STマイクロエレクトロニクスは、1200V耐圧のSiCパワーMOSFETの新製品「SCT20N120」を発表した。新製品は、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、高効率駆動機器、電源、スマートグリッド機器など、消費電力が重視される幅広いアプリケーションに対応する。新製品は、最高200度の接合部動作温度範囲で290mΩ以下のオン抵抗を実現する。また、ターンオフ損失およびゲート電荷が安定しているため、全温度範囲において一貫して高いスイッチング性能を維持。導通損失やスイッチング損失を低減し、高い信頼性を確保しつつ、放熱設計の簡略化に貢献する。
STマイクロ、広範用途向けSiCパワーMOSFETを発表…EVや太陽光・風力発電など（レスポンス）
